随着微电子工业的发展，超大规模集成电路制造的硅片尺寸越做越大，要求半导体制造工艺中的气体品质相应越来越高，对气体中杂质和露点要求极为严格，需要达到ppb、ppt级，尘埃粒径求控制小于0.1～0.05m的微粒，因此对高纯气体的输送管路系统提出了非常高的要求。那么气体管道工程中高纯气路输送管路如何避免微粒污染，下面就来为大家进行介绍。
工艺气体中的杂质(02、H202、 C02、C0，等)，由于在半导体制造工艺中形成氧化膜而导致质量下降。而气体中含有的微粒，几乎在半导体制造的整个过程中都有影响。在热处理工序中，碱金属微粒使氧化膜和硅的界面特性产生异常，引起耐压性差或电气特性劣化。
另外，在高温处理中，重金属微粒向硅的内部侵入扩散，诱发结晶缺点，是导致半导体器件特性裂化的原因。另外，在腐蚀工序中，微粒附着在硅片上，是导致接触部分和周围的腐蚀加工精度降低的原因。因此高纯气体中含尘量比其纯度在一定意义上显得更为重要，控制微粒污染成为高纯气体输送管路的一个核心 内容。微粒污染源来自两个方面：一 是粘附在管壁上的微粒，二是因磨损或腐蚀 等原因管壁产生的微粒。
在配管系统上应分段设置过滤器来去除微粒，通常应采用两级以上的气体过滤。在洁净厂房内一般设置预过滤器和高精度末端气体过滤器，预过滤器是设在洁净厂房的气体入口室的气体干管上，对气体进行预过滤，以减轻末端气体过滤器的负担，并延长其使用寿命，高精度末端气体过滤器应设在邻近用气点处。
在系统设计中，应充分考虑系统末端的放散管，各主管和支干管末端的吹扫阀及必要的取样口，为运行前的吹扫、置换和维修带来方便，系统中应减少不流动气体的“死空间”，不应出现“盲管”等不易吹除的死角，以避免微粒的积聚。
以上就是为大家介绍的有关高纯气路输送管路如何避免微粒污染的分析，希望可以给大家提供参考。高纯气体的纯度是气体的一个重要的考虑因素，对气体质量有很大的影响，我们应该避免微粒的产生。
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